一种实现高频率应用低动态损耗的新型结构逆导型IGBT器件

本实用新型公开一种实现高频率应用低动态损耗的新型结构逆导型IGBT器件，包括集电极、发射极、栅极结构，以及分立设在集电极、发射极之间的IGBT区域和FRD区域;所述IGBT区域从下至上依次为P+基区、局域寿命控制区域、N‑Drift区、P阱区；所述FRD区域从下至上依次为N+基区、N‑Drift区、P阱区。本实用新型，通过在一个逆导型IGBT器件中对IGBT区域和FRD区域进行分区设立，减小了芯片的总面积、体积，提升可靠性；而且在IGBT区域中加入局域寿命控制区域,当器件由导通转向关断时，局域寿命控制区域通过引进能级陷阱来掺杂，缩短该区域内少数载流子的寿命，该结构优点在于能够减小IGBT器件关断过程中的拖尾电流，从而实现较高的关断速度，具备低动态损耗的特性。