摘要
本实用新型公开了一种半导体功率器件封装结构,包括封装体、芯片、基板及若干引脚,所述芯片、基板及引脚封装于封装体内,所述基板的底部外露于封装体外,所述引脚的至少一端延伸至封装体外;所述引脚包括若干互连引脚,所述互连引脚与芯片某一共同电极电连接,所述互连引脚之间设置有一互连结构,所述互连结构的底部外露于封装体外。本实用新型互连结构的设置增大了引脚焊接区域的焊接面积,在通过大电流的时候,该焊接区域的电流密度大大降低,更低的电流密度具有更稳定的焊接可靠度,同时也提升了封装的功率密度,提升了电流能力。
技术关键词
半导体功率器件封装结构
互连结构
芯片
封装体
引脚外露
基板
铜片
大电流
电极
蚀刻
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