基于重布线层和硅通孔互连的半导体三维集成结构

本公开涉及半导体领域，具体提供一种半导体三维集成结构。本公开的半导体三维集成结构包括晶圆、前道器件和重布线叠层，重布线叠层包括第一传输通道和第二传输通道；第一传输通道中的重布线层与前道器件的输入端电连接；第二传输通道中最靠近晶圆的重布线层与前道器件的输出端之间连接；第一硅通孔位于重布线叠层内，填充有第一金属柱，第一金属柱一端位于晶圆第一表面，另一端与第一传输通道的重布线层接触；第二硅通孔填充有第二金属柱，一端与第一硅通孔连通，另一端延伸至晶圆的第二表面。第一传输通道中包含的重布线层的层数为一层，第一传输通道的供电路径最短，传输损耗降低；第一传输通道上方的重布线层还可以作为其他电路的布线之用。