GaN HEMT芯片

本实用新型公开一种GaN HEMT芯片，包括外延层以及设于外延层上的隔绝层，隔绝层内设有间隔设置的若干栅极延伸部、若干漏极延伸部以及若干源极延伸部，栅极延伸部的上表面、漏极延伸部的上表面以及源极延伸部的上表面自隔绝层的上表面露出；漏极延伸部上设有向上延伸的至少一个绝缘凸起部，每个漏极延伸部以及至少一个绝缘凸起部上均覆盖有漏极导线部以形成若干漏极导线部，每个源极延伸部上均覆盖有源极导线部以形成若干源极导线部，每个栅极延伸部上均覆盖有栅极导线部以形成若干栅极导线部。本实用新型通过在漏极延伸部上设有向上延伸的至少一个绝缘凸起部并在漏极延伸部和绝缘凸起部上覆盖漏极导线部，从而加长漏极导线部的长度，使得GaN HEMT芯片能承受更大的电流。