一种准单片功率倍增放大器的封装结构

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一种准单片功率倍增放大器的封装结构
申请号:CN202421755705
申请日期:2024-07-23
公开号:CN222939926U
公开日期:2025-06-03
类型:实用新型专利
摘要
本实用新型公开了一种准单片功率倍增放大器的封装结构,包括框架基岛;引线框架,设置在所述框架基岛的周缘;四颗管芯芯片,通过粘结材料分别粘结于框架基岛的正面,其中两颗管芯芯片通过引线连接组成共栅极放大结构,其中另两颗管芯芯片通过引线连接组成共源极放大结构,所述四颗管芯芯片还通过引线与所述引线框架连接,所述四颗管芯芯片共同组成推挽结构的放大电路;塑封材料,包覆所述框架基岛、引线框架、四颗管芯芯片及引线以塑封成整体。本实用新型利于功率放大器的散热。
技术关键词
管芯 引线框架 封装结构 芯片 砷化镓 单片 推挽结构 栅极 功率放大器 正面 沟槽 地脚 电路 合金 间距
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