摘要
本实用新型公开了一种准单片功率倍增放大器的封装结构,包括框架基岛;引线框架,设置在所述框架基岛的周缘;四颗管芯芯片,通过粘结材料分别粘结于框架基岛的正面,其中两颗管芯芯片通过引线连接组成共栅极放大结构,其中另两颗管芯芯片通过引线连接组成共源极放大结构,所述四颗管芯芯片还通过引线与所述引线框架连接,所述四颗管芯芯片共同组成推挽结构的放大电路;塑封材料,包覆所述框架基岛、引线框架、四颗管芯芯片及引线以塑封成整体。本实用新型利于功率放大器的散热。
技术关键词
管芯
引线框架
封装结构
芯片
砷化镓
单片
推挽结构
栅极
功率放大器
正面
沟槽
地脚
电路
合金
间距
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