一种垂直型发光二极管芯片

本实用新型公开了一种垂直型发光二极管芯片，属于二极管芯片技术领域。一种垂直型发光二极管芯片，包括P电极，还包括：P电极的上方从下至上依次堆叠有导电金属、第一DBR层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、介质层；介质层的上方固定连接有N电极，N电极的下方连接有第二DBR层；P型半导体层突出部分的上方设有第三DBR层；P型半导体层和导电金属之间的外侧包裹有P型欧姆接触半导体层；本实用新型通过多个DBR光反射层的漫反射后，能够改变光的出射角度，减少光源的四散、避免电极对光源的遮挡，提高了芯片光源的利用率。