一种基于SOI工艺的ESD保护器件及半导体器件

本实用新型提供一种基于SOI工艺的ESD保护器件及半导体器件，该ESD保护器件包括：SOI衬底、二极管阵列和多晶硅层；SOI衬底包括底层硅、埋氧层与顶层硅；二极管阵列成型于顶层硅，二极管阵列包括多个二极管行，每一二极管行均包括沿行方向交替设置的多个P+掺杂区和多个N+掺杂区；多个二极管行沿列方向排列，且相邻两行内的多个P+掺杂区和多个N+掺杂区沿列的方向错位分布，以沿列方向对应形成多个二极管列；每一二极管行和每一二极管列中，相邻的P+掺杂区和N+掺杂区之间均形成有阱区；多晶硅层至少设置于部分阱区的表面。本申请的ESD保护器件可以减少SOI工艺中静电释放对芯片造成的损伤。