一种静电保护器件

本实用新型涉及电子科学与技术领域，具体为一种静电保护器件，包括N‑单晶片、阴极金属层和阳极金属层，N‑单晶片内依次设有第一P‑区、第三P+区和第二P‑区，第一P‑区内依次设有第一P+区、第一N+区和第二P+区，第二P‑区内依次设有第四P+区、第二N+区和第五P+区；N‑单晶片表面设有间断的硅介质层，第一P+区、第一N+区和第二P+区均连接阴极金属层，第四P+区、第二N+区和第五P+区均连接阳极金属层。本实用新型通过引入双边短路的对称SCR结构，使得两个方向的深回扫特性是对称的，决定泄放电流能力的SCR结构的有效面积只是与常规结构中的C1(或C2)相同，从而实现芯片面积可以减小20‑40％，并且在更小的芯片面积下，获得更低的击穿电压。