一种保护效果好的低容ESD芯片

本实用新型涉及电子科学技术领域，特别涉及一种保护效果好的低容ESD芯片，包括第一支路、第二支路以及第三支路，所述第一支路处于所述第二支路和第三支路之间，且所述第二支路和第三支路相对所述第一支路设有深隔离槽；所述第一支路从上到下依次包括SN层、N‑epi层以及P‑sub层，所述N‑epi层包绕于所述SN层的周缘，所述N‑epi层远离所述SN层的端面连接于所述P‑sub；所述第二支路和第三支路结构相同，所述第二支路从上到下依次包括SP层、N‑epi层、BN层以及P‑sub层，所述深隔离槽包绕于所述第二支路和第三支路。本实用新型旨在提高ESD芯片的保护效果。