摘要
本实用新型公开了一种用于USB3.0的高泄放电流低电容保护元件,包括塑封体Ⅱ,塑封体Ⅱ上设有VCC模块、数据模块Ⅰ、数据模块Ⅱ和保护模块,数据模块Ⅰ和数据模块Ⅱ上分别设有二极管芯片Ⅵ和二极管芯片Ⅸ,VCC模块上分别设有二极管芯片Ⅶ、二极管芯片Ⅷ、二极管芯片Ⅹ,二极管芯片Ⅵ、二极管芯片Ⅶ、二极管芯片Ⅷ、二极管芯片Ⅸ、二极管芯片Ⅹ均为N型衬底结构的芯片元件。本实用新型通过优化封装框体结构和芯片布局,将关键的芯片元件从保护模块移植到VCC模块上,使用更加常规的N型衬底芯片替代P型衬底芯片,获得更好的产品参数VRWM=5V,CJ(f=1MHz,VR=0V)≤0.8pF,IPPmax(tp=8/20us)≥22A,VESD(Contact Mode)≥±30KV的优越参数,元件的加工难度更低、采购成本也更低。
技术关键词
二极管芯片
数据模块
保护元件
芯片元件
数据接口
衬底结构
电容
电流
P型衬底
框体结构
接地端
参数
布局
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