功率半导体模块的封装改良结构

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功率半导体模块的封装改良结构
申请号:CN202422692872
申请日期:2024-11-05
公开号:CN223427489U
公开日期:2025-10-10
类型:实用新型专利
摘要
本实用新型公开一种功率半导体模块的封装改良,结构包括散热基座、至少一电路基板、至少一铜螺母端子、胶壳侧墙与绝缘胶。电路基板包括至少一种芯片,其组成为一功率半导体模块。铜螺母端子设置于该散热基座上或该电路基板上,该铜螺母端子用以作为外部电流与该功率半导体模块内部电流的桥梁,其中芯片通过多条导线电性连接至铜螺母端子。该胶壳侧墙的内部形成一填补空间。绝缘胶注入于该填补空间以覆盖住该电路基板,其中该铜螺母端子用以作为导通电流的功能。本实用新型的功率半导体模块的封装改良结构能够大幅降低电磁辐射且更适合大电流的应用领域。
技术关键词
功率半导体模块 螺母端子 封装改良结构 散热基座 电路基板 双极性接面晶体管 二极管芯片 双极性晶体管 绝缘胶 整流功能 半导体芯片 桥梁 铜螺母 电子元件 导线 大电流
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