芯片及半导体功率模块

本申请涉及半导体领域，公开了一种芯片及半导体功率模块，其中，一种芯片，包括：芯片本体，包括多个电极区域；第一焊料层，沿第一方向层叠设置于电极区域；键合连接层，沿第一方向层叠设置于第一焊料层背向芯片本体的一面，键合连接层用于与键合线连接，键合连接层在电极区域的正投影置于第一焊料层在电极区域的正投影之内。用以解决键合连接层连接成本高，且生产效率低，易造成的应力集中问题，通过在芯片本体与键合连接层之间设置第一焊料层，键合连接层在电极区域的正投影置于第一焊料层在电极区域的正投影之内，从而实现键合连接层通过回流焊连接在芯片本体上，降低连接工艺的成本，且提高芯片的加工效率，避免键合连接层的应力集中加剧。