双倍数据速率内存系统、存储器及电子设备

本申请公开了一种双倍数据速率内存系统、存储器及电子设备。该双倍数据速率内存系统，包括内存驱动电路、上拉端接电阻、地址信号线、以及多个内存颗粒；所述内存驱动电路和所述内存颗粒均连接所述地址信号线；所述上拉端接电阻的第一端连接所述地址信号线，所述上拉端接电阻的第二端连接芯片核心电源。本申请的双倍数据速率内存系统，利用芯片核心电源VCC作为DDR地址信号线的端接选择，从而解决了相关技术中存在的在电阻排周围无法铺设IOVDD电源而造成内存颗粒的地址信号开路从而导致信号质量严重恶化带来的问题。