一种用于晶圆减薄的异质结外延芯片

本实用新型公开了一种用于晶圆减薄的异质结外延芯片，应用于半导体领域，包括：衬底、缓冲层和外延功能层，缓冲层位于衬底和外延功能层之间；缓冲层包括多个沿预设方向排列的复合缓冲层，每个复合缓冲层均包括至少两种晶格常数不同的子缓冲层；预设方向为衬底指向外延功能层的方向；每个复合缓冲层中，多个子缓冲层的晶格常数沿预设方向增大或减小，形成反向应力，且反向应力的方向与使外延功能层产生翘曲的应力的方向相反。本实用新型通过设置每个复合缓冲层中多个子缓冲层的晶格常数沿预设方向逐渐增大或减小，以减弱或消除外延功能层与衬底之间因材料的热膨胀系数不同导致的翘曲，降低晶圆整体厚度，同时便于晶圆键合时的贴合匹配度。