发光二极管及发光装置

本实用新型涉及半导体电子器件技术领域，提供一种发光二极管及发光装置。发光二极管至少包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；若干个凸起的图形结构，间隔设置于衬底的第一表面的上方；保护层，设置于所述第一表面的上方，且覆盖凸起的图形结构和第一表面；外延结构，设置于保护层的上方，自下而上包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；其中，保护层的折射率小于衬底的折射率。采用该种结构制成的发光二极管，在芯片的制程过程中可防止衬底上的图形结构被破坏，保持图形结构的完整性，光经过图形结构时能够增加光的反射量，增强反射效果，进而提高发光二极管的正面出光效率，提高器件的亮度。