双面散热功率半导体封装结构及电子装置

AITNT
正文
推荐专利
双面散热功率半导体封装结构及电子装置
申请号:CN202423046745
申请日期:2024-12-10
公开号:CN223487049U
公开日期:2025-10-28
类型:实用新型专利
摘要
本申请公开了一种双面散热功率半导体封装结构及电子装置,涉及功率半导体封装的技术领域。双面散热功率半导体封装结构包括引线框架、芯片主体、覆铜陶瓷基板、封胶体等组件,通过芯片主体的翻转设置、覆铜陶瓷基板的错位附合及漏极接脚的曲折设计,实现了双面散热,提高了散热效率和可靠性。此外,散热基岛、栅极接脚和漏极接脚的共平面设计进一步优化了封装结构,确保了良好的电气性能和热传导性能。
技术关键词
覆铜陶瓷基板 双面 引线框架 芯片 功率半导体封装 栅极 电子装置 封装结构 焊料 正面 错位 热传导 电路板 电气 阵列 矩形
系统为您推荐了相关专利信息
1
基于安全加密芯片的边缘物联代理方法
加密芯片 序列 物联 编码向量 非线性
2
基于DSP+FPGA+ARM的导航采集解算硬件系统及方法
数据采集模块 硬件系统 FPGA芯片 调试电路 复位电路
3
用于全钒液流电池电解液的多参数在线检测系统及方法
全钒液流电池电解液 在线检测系统 集成检测模块 流体控制模块 微型检测池
4
半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备
引脚框架 投影面 针孔 半导体装置 焊盘
5
半导体装置及电器设备
功率因数校正器 高压驱动芯片 半导体装置 焊盘 基板
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号