一种激光键合互连工艺

一种激光键合互连工艺，包括以下步骤：步骤一，选取一定规格的基板和芯片，并将所述基板和所述芯片清洗干净后进行预处理；步骤二，使用一种带透光且耐高温材料的芯片吸取和激光发射一体化装置从正上方吸取芯片，并将互连材料置于芯片和基板中间作为互连层，对准芯片与基板，使其形成芯片、互连材料、基板的互连结构；步骤三，通入保护气体，使用所述装置选取合适的激光参数，并施加压力和超声，控制焊接时间对所述互连结构进行焊接；步骤四，室温下冷却后得到所述互连结构。包括细节距互连和芯片固晶，同时实现更好性能、更高效率和更低成本的互连，满足先进封装要求，用于解决上述的技术问题。