HEMT器件

本发明公开了一种HEMT器件，例如包括：衬底；通道层，设置于衬底的一侧，通道层的材料包括未掺杂的GaN；异质外延结构，包括至少一个由AlGaN层和GaN层堆叠形成的超晶格结构，在每个超晶格结构中，GaN层设置于所述AlGaN层远离通道层的一侧；势垒层，设置于异质外延结构远离通道层的一侧，势垒层的材料包括AlGaN；通道层与异质外延结构的总厚度为150～350纳米。本发明实施例在通道层与势垒层之间设置异质外延结构，能够形成多个二维电子气通道，减少了单二维电子气通道中电子的拥挤情况，提升了电子迁移率，降低了导通电阻；通过对通道层与所述异质外延结构的总厚度进行设计，无需在后续工序中对芯片制程进行重新设计，避免了后续工序中芯片制程的加工难度增大的情况。