一种氮化镓HEMT封装应力检测方法

本发明提供一种氮化镓HEMT封装应力检测方法，属于芯片制造技术领域，本发明通过构建器件力学基础矩阵确定应力敏感区域，利用微波网络分析仪测量1GHz至40GHz频率范围内无应力及多种应力载荷下的散射参数矩阵，设计多通道压力加载夹具实现精确应力控制，建立频率敏感应力增扩矩阵提高检测灵敏度，应用皮尔逊相关系数筛选特征频点构建频率应力稀疏矩阵，基于多头注意力神经网络建立高精度应力预测模型，实现从高频散射参数到内部应力分布的精确映射，实现了在器件实际工作频率范围内对封装应力的准确检测。