一种硅基混合集成外腔窄线宽激光器

本发明涉及半导体激光器，具体涉及一种硅基混合集成外腔窄线宽激光器，用于解决现有窄线宽激光器技术存在的集成性差、稳定性不足、成本高等问题。该硅基混合集成外腔窄线宽激光器包括：半导体增益芯片、硅基光栅及锥形光纤。其中半导体增益芯片与光栅外腔入射端面耦合，光栅外腔出射端面与锥形光纤直接耦合。本发明利用光栅外腔，延长光子寿命，收窄输出线宽，具有输出线宽窄、输出功率高、工艺稳定性高、尺寸小、集成化等优点。