具有良好抗雪崩能力的超结MOSFET及其制备方法、芯片

本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有良好抗雪崩能力的超结MOSFET及其制备方法、芯片，通过在N型漂移区的第一侧形成层叠设置于N型衬底上的第一P柱、第一P型阱区、第一P型基区，在N型漂移区的第二侧形成层叠设置于N型衬底上的第二P柱、第二P型阱区、第二P型基区，并且，设置第一P型阱区的P型掺杂离子的浓度大于第一P型基区的P型掺杂离子的浓度，第一P型阱区的宽度小于第一P型基区的宽度，第二P型阱区的P型掺杂离子的浓度大于第二P型基区的P型掺杂离子的浓度，第二P型阱区的宽度小于第二P型基区的宽度，从而改变器件内部P型基区周围的电场，抑制器件内寄生BJT的导通，提高器件的抗雪崩能力。