一种二维硅基太赫兹频域的高集成度谐振器

本发明公开了一种二维硅基太赫兹频域的高集成度谐振器,包括：谐振腔以及用于耦合电磁波进入谐振腔的楔形波导；所述谐振腔从内到外依次设置有内层、至少一层中间层、隔离层；所述内层、中间层、隔离层由第一光子晶体结构或第二光子晶体结构按二维周期性排列而成；所述内层、中间层、隔离层间第一光子晶体结构和第二光子晶体结构交错排列。本发明实现了在单一谐振器内对不同位置的谐振模式进行精确的选择性激发，通过有效控制各个谐振模式的激发位置，不仅提升了谐振器的工作效率和稳定性，还增强了其在复杂环境下的适应性。