基于自掺杂效应的光电探测器及其作为动态神经网络加速器的应用

本发明公开了一种基于自掺杂效应的光电探测器及其作为动态神经网络加速器的应用，属于高性能传感和感存算一体技术领域。所述光电探测器采用层状二维半导体铋氧硒作为沟道层，通过界面酸刻蚀法调控硒空位位置，使其与电子传输层分离，实现光响应度的自调制效应，并实现宽范围的光响应度幅度调制、光响应度变化时间常数调制。采用该光电探测器作为动态片上光学神经网络加速器可有效进行动态权重调节，用于连续变化的物体特征识别，包括旋转、移动、退化条件下物体的识别与探测任务。