温度控制方法、电子设备、介质及程序产品

本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种温度控制方法、电子设备、介质及程序产品。通过在单晶硅制备过程中，确定当前所处的制备阶段，其中，单晶硅制备过程按时间顺序包括如下制备阶段：预热阶段、熔料阶段、拉制阶段和冷却阶段，确定与当前所处的制备阶段对应的温度控制算法和目标温度，在当前所处的制备阶段，按照目标温度采用温度控制算法对坩埚温度进行控制；该方法在单晶硅制备过程中，通过识别当前制备阶段并应用相应的温度控制算法和目标温度来调控坩埚温度，延长了坩埚的使用寿命。