用于三维封装的扩散阻挡层的制备方法

本发明涉及半导体三维封装技术领域，具体而言，涉及用于三维封装的扩散阻挡层的制备方法，其包括：熔炼高熵合金，高熵合金具有面心立方结构；轧制高熵合金，总压下量为80‑90%，轧制后在高熵合金的再结晶温度退火，空冷；切割得到厚度为1‑3μm的高熵合金贴片；通过植球回流的方法使锡球熔化、并与铜柱熔接成焊球；将高熵合金贴片和焊球在热压条件下进行热压键合，热压键合的温度为250~270℃，压力为200‑300gf，时间为20~30min。该制备方法得到的扩散阻挡层具有良好的阻挡效果。