一种垂直结构LED芯片及其制备方法

本申请提供一种垂直结构LED芯片及其制备方法，垂直结构LED芯片包括在第一方向上依次层叠设置的半导体外延结构、电流扩展层、电流阻挡层和P型电极层，半导体外延结构包括在第一方向上依次层叠设置的N型半导体层、有源层和P型半导体层，其中，电流扩展层包括多个第一通孔，第一通孔暴露P型半导体层；电流阻挡层包括多个第二通孔，多个第二通孔与多个第一通孔对应设置；P型电极层填充第二通孔和第一通孔，并分别与电流扩展层、P型半导体层相接触。本申请提供的垂直结构LED芯片中，具有多个第一通孔的图案化的电流扩展层和具有多个第二通孔的图案化的电流阻挡层相互配合，能够优化整体电流分布，改善电流密度分布集中的问题。