一种四分区自检测流量传感器芯片的制备方法

本发明涉及一种四分区自检测流量传感器芯片的制备方法。包括提供衬底；制作支撑结构层；制作一层铂薄膜电阻层，对铂薄膜电阻层光刻图形化后形成中心热源结构，中心热源结构呈十字结构；制作上游测温元件热电堆和下游测温元件热电堆；通过等离子体增强化学气相沉积法在芯片顶面沉积一层钝化层；在钝化层表面制作一层只覆盖在芯片的中心热端位置上方的遮光隔热层；通过等离子体增强化学气相沉积法在衬底背面沉积一层阻挡层；通过深硅刻蚀对衬底进行背面刻蚀，将芯片的中心热端位置进行释放，形成背面释放腔，背面释放腔贯穿于阻挡层并延伸至支撑结构层。本发明克服了不适于多方向的气体流入的流量监测且热量容易向外扩散的问题。