一种LED芯片及其制备方法

本申请提供一种LED芯片及其制备方法，LED芯片包括外延层、电流扩展层、增透层、第一功能层和金属反射层，电流扩展层设置在外延层的一侧；增透层设置在电流扩展层背离外延层的一侧；第一功能层设置在增透层背离电流扩展层的一侧，并具有第一开口；金属反射层设置在电流扩展层背离外延层的一侧，并位于第一开口内；其中，在增透层背离电流扩展层的方向上，第一开口的直径逐渐增大，且增透层对第一溶液的耐腐蚀性大于第一功能层对第一溶液的耐腐蚀性，本申请提供的LED芯片及其制备方法，能够在改善银反射层的边缘翘金、脱落问题的同时，兼顾增透层各区域的厚度均一性，进而提高LED芯片的亮度均匀性，提高产品良率，降低生产制造成本。