一种在深硅槽中生长锗外延层的方法

本发明提供了一种在深硅槽中生长锗外延层的方法，涉及半导体制造技术领域。本发明先对Si/SiO2基底进行光刻和刻蚀，以形成具有预设深度的深硅槽，之后将具有深硅槽的Si/SiO2基底浸泡在TMAH溶液中，以进行第一次清洗。然后将具有深硅槽的Si/SiO2基底浸泡在湿法化学清洗液中，以进行第二次清洗。最后在深硅槽中进行选择性锗外延工艺，从而形成锗外延层。上述技术方案通过在传统清洗工艺之前新增TMAH清洗工艺，实现了深硅槽的侧壁粗糙度的优化，为后续的锗外延提供了良好的外延基础，可以提高锗外延层的质量，避免锗外延层经过CMP表面磨平后出现小孔洞情况，稳定了锗器件性能并减少了光芯片波导的损耗。