高照度LED光源制备方法

本发明涉及LED光源的技术领域，公开了高照度LED光源制备方法，包括以下制备步骤：1)、提供基板，基板上设有凹陷区，凹陷区的外周具有外周侧壁；2)、在凹陷区中设有环形布置的中部围坝，中部围坝围合形成发光区，中部围坝与外周侧壁之间围合形成环形区；3)、在发光区中布置LED芯片；4)、在发光区填充荧光胶，形成覆盖在LED芯片上的荧光胶层；5)、在凹陷区填充透光胶，形成透光胶层，透光胶层填充了环形区，覆盖了中部围坝；透光胶层嵌入发光区，自上而下覆盖了荧光胶层；荧光胶层以及中部围坝限制LED芯片的照射范围，可以实现LED芯片的小角度照射，可以将LED芯片发出的光线限制范围，实现LED光源高照度照射。