一种半导体元胞及其制备方法、半导体芯片和功率器件

一种半导体元胞及其制备方法、半导体芯片和功率器件，属于功率半导体器件技术领域，该半导体元胞，包括衬底及其上设置的外延层，所述外延层上设置有沟槽栅，所述衬底远离外延层的一面设置有与漏极绝缘相连的第一柱；本发明的有益效果是，本发明通过在器件远离外延层的一面制备第一柱，在不增加器件面积的情况下，可提高击穿电压和降低导通电阻，有效避免了栅槽底部氧化层提前击穿的问题，提高了器件的可靠性。