边发射激光传感芯片及其制备方法

本发明涉及激光传感芯片技术领域，公开了边发射激光传感芯片及其制备方法。制备方法包括：形成包括层叠设置的衬底层、下包层、下波导层、用于产生激光的有源层、上波导层、上包层和盖层的外延结构；外延结构上形成第一沟槽和第二沟槽以及包括单模过滤区、功率放大区和功能区的脊结构；形成绝缘层，绝缘层的第一开口露出脊结构的部分表面形成电流注入表面；第二开口露出脊结构的功能区的部分表面，第一开口和第二开口之间形成传感表面；形成斜沟槽；在传感表面形成纳米传感结构。通过在脊结构内成型斜沟槽，将水平激射的激光转变为朝向传感表面的激光；传感表面设置纳米传感结构，实现未知待检测物质的折射率的获取，适用范围广且检测简单高效。