折叠式共源共栅低噪声放大器

本公开涉及折叠式共源共栅低噪声放大器。所公开的低噪声放大器(LNA)包括共发射极放大器(CE‑A)、共栅极放大器(CG‑A)，以及位于CE‑A和CG‑A中的各种无源器件。CE‑A包括NPN型双极结晶体管(BJT)，其具有发射极和集电极(E/C)区，以及位于E/C区之间且连接到输入节点的基极区。CG‑A包括P沟道场效应晶体管(PFET)，其具有源极和漏极(S/D)区、位于S/D区之间的沟道区，以及与沟道区邻近的栅极。PFET的漏极区连接到输出节点。此外，公共电感器、BJT的集电极区和PFET的源极区在中间节点处连接。LNA在三维集成电路(3DIC)上实现，其中，BJT和FET位于不同芯片上，无源器件位于BJT和FET之间的后段制程区域中。