一种包含缓冲单元的混合功率模块及其制造方法

本发明提供了一种包含缓冲单元的混合功率模块及其制造方法，该模块包括：单个或多个功率子单元，其嵌于PCB板中，包括：铜槽结构、堆叠于铜槽结构内的Si MOSFET芯片和SiC JFET芯片；Si MOSFET芯片上设有电极片，电极片的一端与SiC JFET芯片连接；RC缓冲单元和热敏元件，设置于PCB板上，与功率子单元连接。本发明通过将高压SiC JFET芯片与低压Si MOSFET芯片堆叠在一起，有效避免了功率子单元内部芯片之间的寄生参数；通过改变垂直器件的电极引出方式，优化了设计空间。通过在PCB上的芯片附近集成RC缓冲单元，有效抑制dV/dt，缓解系统在高频开关过程中的电压过冲和振铃。本发明通过将热敏元件设置于芯片顶部形成垂直布置，解决感温检测电路的电气隔离与芯片温度监测准确性之间的矛盾。