非正态分布下集成芯片封装测试数据质量判断方法及系统

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非正态分布下集成芯片封装测试数据质量判断方法及系统
申请号:CN202510035398
申请日期:2025-01-09
公开号:CN119716706B
公开日期:2026-01-02
类型:发明专利
摘要
非正态分布下集成芯片封装测试数据质量判断方法及系统,属于集成芯片检测技术领域,解决如何对非正态分布下集成芯片封装质量判断的问题,本发明通过判断集成芯片封装测试数据分布,根据测试数据分布选用不同的方法计算测试数据的过程能力指数,根据过程能力指数中的数据集中程度和过程偏移程度判断集成芯片封装质量等级;在集成芯片封装测试数据为非正态分布时,使用1%显著性水平滤除偏移量过大干扰数据和波峰均值替代过程均值,使得集成芯片封装测试数据在非正态分布下计算的过程能力指数会具有更强的抗干扰能力,判断集成芯片封装质量时的可信度更高。
技术关键词
集成芯片 判断方法 指数 数据分布 模块 表达式 样本 判断系统 跨度 直方图 定义 电流 电压
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