基于模糊控制器的单晶硅生长状态控制方法

本发明提供一种基于模糊控制器的单晶硅生长状态控制方法，该方法基于修正后的采集周期，周期性采集单晶硅的实际直径，然后计算实际提拉速度和实际提拉加速度，在实际提拉速度和实际提拉加速度的基础上，本发明设置了两种模糊控制器，在速度模糊控制器中，根据制定的速度模糊规则进行模糊推理，得到修正后的第一提拉速度，在加速度模糊控制器中，根据制定的加速度模糊规则进行模糊推理，得到修正后的第二提拉速度，然后选择最接近期望提拉速度的作为最佳提拉速度，能够有效提高提拉速度控制的精准性，从而能够减少单晶硅产品表面凹陷，提升产品良率。