一种采用辅助气腔的超薄堆叠芯片低应力剥离工艺

本发明公开了一种采用辅助气腔的超薄堆叠芯片低应力剥离工艺，一种采用辅助气腔的超薄堆叠芯片低应力剥离工艺，包括如下工艺步骤：步骤一：芯片预剥离、步骤二：接近芯片、步骤三：剥离芯片、步骤四：转移芯片。本发明通过气腔缓冲结构能够在芯片剥离和拾取过程中提供柔性支撑，有效避免超薄芯片表面的刮擦、破裂或翘曲，通过气腔调节并控制粘接力分布，使得超薄芯片能够保持平整，减少因应力集中导致的芯片变形问题，显著提高拾取精度和成功率，本发明不仅适用于25μm级超薄芯片，也可以通过调整气腔阵列参数来应对更薄厚度的芯片，激光器系统结合自动化控制，能够在短时间内完成整片晶圆的气腔制作。