一种硅基谐振式压力传感器的结构优化设计方法

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一种硅基谐振式压力传感器的结构优化设计方法
申请号:CN202510042911
申请日期:2025-01-10
公开号:CN119962302B
公开日期:2025-11-07
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种硅基谐振式压力传感器的结构优化设计方法,通过获取移除第i,i=1…I个方形单元后,初始的器件层中的方形单元的最大应力变化量Δσ和最大形变的变化量Δγ,进而根据初始的器件层中所有的方形单元中的最大应力σ0和最大形变γ0,获取第i个方形单元的演化参量C;基于此方法对器件层进行三次演化,获得第三次结构演化后的器件层后,确定谐振结构的位置和基本形状,以确定的最终的谐振式压力传感器的器件层,完成对谐振式压力传感器的设计。本发明对器件层的三次演化,能够解决随着灵敏度的提高,传感器在较大压力范围内的线性度可能会出现下降,导致频率响应的非线性变化的问题,具有灵敏度高而非线性误差低的特点,测量的准确性高。
技术关键词
谐振式压力传感器 结构优化设计方法 谐振子 检测电极 压敏芯片 谐振结构 方形 有限元仿真软件 SOI工艺 金属电极 非线性误差 应力 电场 频率响应 索引 衬底
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