真空微腔干涉仪芯片、制造方法及宽量程光学压力传感器

本发明涉及一种真空微腔干涉仪芯片、制造方法及宽量程光学压力传感器。包括第一基底和第二基底，第二基底与第一基底键合成一体，第一基底上制作有压力敏感薄膜，压力敏感薄膜上沉积有第一反射面，第二基底上沉积有与第一反射面对应设置的第二反射面，当两个基底键合后第一反射面和第二反射面形成F‑P光学干涉腔，至少一个吸气剂腔设置在第一基底和/或第二基底上，在吸气剂腔的表面设置有吸气剂薄膜，吸气剂腔与F‑P光学干涉腔分开，通过气道连接，可以将气道的尺寸做得很小，避免吸气剂激活后产生的少量颗粒污染光学膜导致器件失效；传感器整体是密封结构，没有与芯片外连接的结构，保证了芯片整体的气密性，降低了后续壳体封装的真空度要求。