一种气体传感器阵列芯片及制备方法

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一种气体传感器阵列芯片及制备方法
申请号:CN202511080147
申请日期:2025-08-01
公开号:CN120927760A
公开日期:2025-11-11
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种气体传感器阵列芯片及制备方法,属于气体传感器技术领域,气体传感器阵列芯片包括衬底以及敏感层,衬底包括敏感电极,敏感电极包括至少两对指电极;敏感层包括至少两层金属氧化物纳米层,一层金属氧化物纳米层对应连接于一对指电极,不同层的金属氧化物纳米层相互连接,底层的金属氧化物纳米层具有供气体分子透过的孔隙或采用封闭的薄膜,底层之外的金属氧化物纳米层具有供气体分子透过的孔隙。本发明不同金属氧化物纳米层连接不同对指电极,通过改变不同指电极的电压施加方式,能够获取多个不同类型的传感器电流或电阻信号,具有低功耗、高集成度的特点,为工业检测、智慧医疗等领域的便携式设备奠定基础。
技术关键词
金属氧化物纳米 气体传感器阵列 焊盘电极 加热电极 纳米薄膜 芯片 氧化层 纳米线 气体传感器技术 衬底 便携式设备 加热丝 开孔位置 分子 基底 氧化锡 氧化镍
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