一种集成隔离芯片的电磁辐射强度预测方法和系统

本公开涉及电磁兼容测试与评估技术领域，具体涉及一种集成隔离芯片的电磁辐射强度预测方法和系统。所述方法包括：将变压器的第一电磁场模型转换为等效电路模型，并获取仿真寄生电参数；比对测量寄生电参数和仿真寄生电参数来调整等效电路模型；将调整好的等效电路模型的共模电流作为激励信号输入PCB评估板的第二电磁场模型，获得集成隔离芯片的电磁辐射强度仿真结果，其中，共模电流被确定为集成隔离芯片的主要辐射源；比对电磁辐射强度仿真结果和电磁辐射强度测量结果来调整第二电磁场模型，获得集成隔离芯片的电磁辐射强度预测模型。本公开能准确预测隔离芯片的辐射强度，减少了多轮打样和测试的必要性，提高了芯片设计时的可靠性和稳定性。