摘要
本申请涉及一种二维可寻址VCSEL阵列及其制备方法、VCSEL芯片和激光雷达。所述二维可寻址VCSEL阵列包括若干VCSEL发光点、若干金属互连层和若干电气接入部;部分金属互连层沿第一方向间隔排列,沿第二方向延伸,其余金属互连层沿第二方向间隔排列,沿第一方向延伸,所述第一方向和所述第二方向垂直;各所述金属互连层的一端分别连接一所述电气接入部,另一端对应连接一行或一列所述VCSEL发光点的正极或负极;其中,一电气隔离区域至少形成于相邻所述电气接入部之间的漏电路径上。
技术关键词
VCSEL阵列
隔离沟槽
VCSEL芯片
金属互连层
电气
反射镜
台面沟槽
激光雷达
基底
光电
负极
谐振腔
层叠
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