二维可寻址VCSEL阵列及其制备方法、VCSEL芯片和激光雷达

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二维可寻址VCSEL阵列及其制备方法、VCSEL芯片和激光雷达
申请号:CN202510048019
申请日期:2025-01-10
公开号:CN119890930A
公开日期:2025-04-25
类型:发明专利
摘要
本申请涉及一种二维可寻址VCSEL阵列及其制备方法、VCSEL芯片和激光雷达。所述二维可寻址VCSEL阵列包括若干VCSEL发光点、若干金属互连层和若干电气接入部;部分金属互连层沿第一方向间隔排列,沿第二方向延伸,其余金属互连层沿第二方向间隔排列,沿第一方向延伸,所述第一方向和所述第二方向垂直;各所述金属互连层的一端分别连接一所述电气接入部,另一端对应连接一行或一列所述VCSEL发光点的正极或负极;其中,一电气隔离区域至少形成于相邻所述电气接入部之间的漏电路径上。
技术关键词
VCSEL阵列 隔离沟槽 VCSEL芯片 金属互连层 电气 反射镜 台面沟槽 激光雷达 基底 光电 负极 谐振腔 层叠 电路
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