四电平双T型半桥功率模块及其封装方法

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四电平双T型半桥功率模块及其封装方法
申请号:CN202510051961
申请日期:2025-01-14
公开号:CN119965185A
公开日期:2025-05-09
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种四电平双T型半桥功率模块及其封装方法,该四电平双T型半桥功率模块包括上层DBC基板和下层DBC基板,两层DBC基板之间设置有换流模块,换流模块的每一相结构包括三个串联的直流母线电容、第一开关管至第六开关管,换流模块的每一相结构形成有五个换流回路。本发明提供的功率模块可降低功率模块自身杂散电感参数,便于提高散热能力,进而便于构建高效率和高功率密度性能的电力电子变换器。
技术关键词
DBC基板 直流母线电容 开关管 功率模块 封装方法 回路 铜导体 电平 栅极 电力电子变换器 结点 杂散电感 陶瓷电容 碳化硅 电桥 高效率 芯片
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