改善关断损耗的IGBT及其制备方法、芯片

本申请属于功率器件技术领域，提供了一种改善关断损耗的IGBT及其制备方法、芯片，通过设置包括P型漂移区和N型漂移区的漂移区，并且，设置P型漂移区的垂直部与N型漂移区并列形成于N型缓冲层上，P型漂移区的水平部位于N型漂移区的上侧和/或下侧，载流子存储层形成于漂移区上，使P型漂移区与N型漂移区形成的结构可以减小器件的有效掺杂浓度，具有更快的电场扩展速度，进而更快排出空穴，降低器件的关断损耗，解决了IGBT器件在抽取空穴时会影响关断速度、关断损耗以及导通电压的问题。