摘要
本发明提供一种功率模块DBC陶瓷基板优化方法、DBC陶瓷基板及半导体功率模块。所述一种功率模块DBC陶瓷基板优化方法包括以下步骤:S1、获取初始DBC结构,其中,所述功率模块中的不同芯片根据芯片参数要求布置在不同的区域,不同的区域之间设置有预设第一宽度范围内的任意宽度的刻蚀槽;S2、判断任意一个芯片的输出端和另一个芯片的输出端是否处于同一蚀刻槽的两侧;S3、如果是,将所述同一刻蚀槽的宽度增加至预设第二宽度范围内的任一宽度。在模块相应部位,拉大了DBC局部铜层之间的间距,很好地解决了由于结构和距离原因造成的器件内部产生的杂散电感,提升了器件在双脉冲动态测试和实际应用中抗市电冲击的能力,从而提升了产品实际应用能力和可靠性。
技术关键词
DBC陶瓷基板
DBC结构
芯片
半导体功率模块
U型槽
金属散热
电气
蚀刻
参数
输出端
凹槽
电感
尺寸
脉冲
动态
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