高电流自激振荡抑制的原子芯片直流射频偏置电路

本申请公开了一种高电流自激振荡抑制的原子芯片直流射频偏置电路，属于原子芯片实验技术领域，包括，原子芯片，原子芯片包括U型阱与H型阱；第一射频支路，其第一端子与U型阱的第一端子连接，第二端子与U型阱的第二端子连接；第一直流支路，其第一端子与U型阱的第一端子连接，第二端子与U型阱的第二端子及第一射频支路的第二端子连接；第二直流支路，其第一端子与H型阱的第一端子连接，第二端子与H型阱的第二端子连接；第二射频支路，其第一端子与H型阱的第三端子连接，第二端子与H型阱的第二端子及第二直流支路的第二端子连接。本申请实现了频射信号和直流信号相互隔离，实现了自激振荡抑制，满足实验所需的从高频至低频的带宽要求。