一种厚片功率器件的导通电阻测试方法及测试结构

本发明公开一种厚片功率器件的导通电阻测试方法及测试结构。本发明导通电阻测试结构包括洗边处理后晶圆，以及金属化外延层；所述金属化外延层位于晶圆的洗边处理后暴露的衬底区域上；测试时，所述金属化外延层作为漏极接入点，晶圆上各芯片的源极、栅极分别作为源极接入点、栅极接入点；本发明通过物理气相沉积技术沉积一层金属，形成一个可靠的电气连接点，作为测试时的漏端接入点，解决了厚片功率器件Rdson测试难题。本发明还提高了晶圆边缘非活性区域的利用率，使原本在传统测试中难以利用的区域成为实现测试功能的关键部分，减少了对晶圆其他区域的依赖。