一种芯片三维封装方法

本发明属于半导体封装技术领域，特别涉及一种芯片三维封装方法。包括：步骤S1：制备12寸硅圆片；步骤S2：制备第一N层金属互连线；步骤S3：在第一N层金属互连线进行晶圆级临时键合；步骤S4：通过晶圆级减薄设备对硅圆片硅背进行减薄；步骤S5：进行5μm厚度铝键合指工艺开发；步骤S6：形成晶圆级多层再布线硅基板；步骤S7：对晶圆级多层再布线硅基板进行划片，形成定制化尺寸的芯粒集成基板；步骤S8：制备形成芯粒集成微模组；步骤S9：重构制备12寸晶圆；步骤S10：利用晶圆级树脂减薄设备对树脂面进行减薄；本发明提高了芯粒集成的密度，大幅度缩短了每个功能芯粒之间的金属互连，减小了发热、功耗、与延迟。