半导体设计方法和装置

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半导体设计方法和装置
申请号:CN202510063860
申请日期:2025-01-15
公开号:CN120409416A
公开日期:2025-08-01
类型:发明专利
摘要
提供一种半导体设计方法和装置。所述半导体设计方法可包括:将第一类型的设计数据输入到第一神经网络模型中;将第二类型的设计数据输入到与第一神经网络模型不同的类型的第二神经网络模型中;通过将第二神经网络模型的计算结果与通过直到第一神经网络模型的第一层计算而生成(并从第一神经网络模型的第一层获得)的特征进行融合来生成融合特征;将融合特征输入到在第一神经网络模型的第一层之后的第一神经网络的第二层中;以及在完成基于融合特征的第一神经网络模型的计算之后,执行与电路的可布线性相关的任务。
技术关键词
神经网络模型 半导体设计装置 融合特征 图像 数据 上采样 网格 存储器装置 电路 处理器 分辨率 模式 指令
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