一种高可靠高压驱动芯片的静电浪涌一体化防护电路

本发明属于集成电路的静电放电(ESD)和电过应力(EOS)脉冲防护领域，具体提供一种高可靠高压驱动芯片的静电浪涌一体化防护电路，用以解决传统高压ESD/EOS防护方案中易闩锁、触发电压高、鲁棒性差以及开启速度慢等问题。本发明通过技术性嵌入SCR结构、齐纳结构和LDMOS结构，整合齐纳二极管的电压钳位能力、LDMOS的高耐压能力、复合晶体管的快速响应特性以及SCR的强泄流能力，实现了静电与浪涌一体化防护效能，在ESD/EOS电应力作用下，本发明中复合结构在正反馈作用下促进齐纳结构、SCR结构和LDMOS结构有序开启，从而满足不同脉冲频率的ESD与EOS防护需求，不仅显著降低了回滞效应和触发电压，还有效避免了闩锁现象。